LMG2610RRGT 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于ACF的650V 170/248mΩ GaN半橋
產品型號：LMG2610RRGT
產品品牌：TI/德州儀器
產品封裝：VQFN40
產品功能：氮化鎵 (GAN) IC
LMG2610RRGT特性
●650伏GaN功率-FET半橋
●170-mQ低側和248-m2高側GaN場效應晶體管
●具有低傳播延遲和可調轉轉轉速率控制的集成柵極驅動器
●具有高帶寬和高精度的電流感測仿真
●低側/高側門驅動聯鎖
●高端柵極驅動信號電平移位器
●智能開關自舉二極管功能
●高端啟動8誠
●低側/高側逐周期過流保護
●帶FLT引腳報告的過溫保護
●AUX空閑靜態電流:240 pA
●備用靜態電流:50uA
●BST空閑靜態電流:60 yA
●最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
●9x7 mm QFN封裝，帶雙散熱墊
LMG2610RRGT說明
該LMG2610是一個650-V的GaN功率FET半橋<75瓦的有源鉗位反激(ACF)轉換器在開關模式電源應用的目的。該LMG2610簡化了設計，減少元件數量，并減少電路板空間，通過集成半橋接功率FET、柵極驅動器、自舉二極管和高端柵極驅動電平移位器，采用9 mmX7mm QFN封裝。不對稱GaN FET的電阻ACF的工作條件進行了優化。可編程轉動在轉換率上提供EML和振鈴控制，與傳統的電流檢測電阻器相比，低端電流檢測仿真降低了功耗，并允許低端熱墊連接到冷卻PCB電源地。高邊柵極驅動信號電平移位器消除了外部解決方案的噪聲和突發模式功耗問題。智能開關的GaN自舉FET沒有二極管正向壓降，避免了高側電源的過充電，并且具有零反向恢復電荷。該LMG2610支持低靜態電流和快速啟動時間轉換器輕載效率要求和突發模式操作。保護功能包括場效應管開啟互鎖，欠壓鎖定(UVLO)，逐周期電流限制和過溫關斷。
封裝圖
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